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华体会hth登录-长电科技“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”专利获授权
天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司近日取得一项名为“封装结构制作方法和芯片防翘曲装置”的专利，授权公告号为CN115101434B，授权公告日为2024年12月10日，申请日为2022年7月21日。本发明揭示了一种封装结构制作方法和芯片防翘曲装置，所述制作方法包括步骤：提供一测试基板和测试堆叠芯片
2025-03-07 -
华体会hth登录-Arm 发布芯粒系统架构首个公开规范，加速芯片技术演进
Arm 控股有限公司宣布其芯粒系统架构 (CSA) 正式推出首个公开规范，进一步推动芯粒技术的标准化，并减少行业的碎片化。目前，已有超过60家行业领先企业，如ADTechnology、Alphawave Semi、AMI、楷登电子、云豹智能、Kalray、Rebellions、西门子和新思科技等，积
2025-03-07 -
华体会hth登录-国产先进封装黑马，联手华为！
▍已成华为海思直接供应商来源：网络资料整理甬矽电子（688362）于1月22日在投资者关系平台上确认，该公司专注于中高端先进封装领域，致力于实施以大客户为核心的战略。这一举措不仅表明了其在高端市场的定位，也引发了业内对其与华为合作前景的广泛关注。甬矽电子的最新动态显示，其已成为华为海思芯片的直接供应
2025-03-07 -
华体会hth登录-光中介层，有希望
半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自IEEELightmatter 使用处理器封装内的光信号。光纤电缆正逐渐靠近高性能计算机的处理器，用玻璃代替铜线。科技公司希望通过将光纤连接从服务器外部移到主板上，然后让它们与处理器并排放置，来加快人工智能的速度并降低其能源成本。现在，科技公司准备更进一步
2025-03-07 -
华体会hth登录-国产首款！成功验证
来源：新华网我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究
2025-03-06
