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华体会hth登录-Polar与瑞萨电子达成硅基氮化镓技术授权协议
自Polar官网获悉，日前，Polar Semiconductor与瑞萨电子（Renesas）达成战略协议，授权其硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术，并将在其位于明尼苏达州的8英寸车规级量产工厂为瑞萨及其他客户生产650V高压硅基氮化镓器件。根据协议，Polar与瑞萨将共同推进GaN器件的商业
2025-10-25 -
华体会hth登录-捷捷微电透露多个项目最新进展
近日，捷捷微电在接受机构调研时表示，公司“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线”项目目前还在产能爬坡期，现已实现50000片/月产出。据了解，该项目由捷捷微电全资子公司捷捷半导体有限公司承建，计划采用深Trench刻蚀及填充工艺、高压等平面终端工艺,积极扩展新产品门类，填补公司产品空白，补充和升级现
2025-10-25 -
华体会hth登录-海南大学发布自主研发的脑机接口专用芯片等核心技术与产品
据海南大学生物医学工程学院官微消息，海南大学正式发布自主研发的植入式脑机接口（BCI）核心技术与系列产品，包括全球领先的脑机接口专用芯片、神经信号采集系统、神经信号调控系统及神经元定位系统。这一突破标志着我国在脑机接口领域实现全链条技术自主可控，为脑科学研究和医疗应用注入“中国芯”动力。据介绍，海南
2025-10-25 -
华体会hth登录-上海科研团队研制出超高速闪存，每秒存取25亿次
据科技日报消息，近日，由复旦大学周鹏/刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度快至400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果已发表于国际期刊《自然》。针对当下AI计算所需的算力与能效要求，存储技术亟须突破，而破局点在于解决集成电路领域最为关键
2025-10-25 -
华体会hth登录-同光科技年产7万片碳化硅单晶衬底项目竣工
自全国建设项目环境信息公示平台获悉，近日，河北同光科技发展有限公司年产7万片碳化硅单晶衬底项目已竣工，全国建设项目环境信息公示平台披露其环境保护验收公示。据了解，为提高碳化硅单晶衬底产品性能，2024年，河北同光科技发展有限公司委托河北大鑫元环境科技工程有限公司编制了《河北同光科技发展有限公司年产7
2025-10-25
