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华体会hth登录-江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目预计6月投产
据“金龙湖发布”公众号消息，目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。据悉，天科合达二期项目作为省级重大产业项目，总投资8.3亿元，建
2025-08-04 -
华体会hth登录-总投资200亿元，武汉长飞先进半导体基地项目迎来新进展
据中建一局官微消息，近日，国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。据悉，长飞先进武汉基地项目位于湖北省武汉市，总投资200亿元。其中，一期已于2023年9月开工，预计今年6月封顶，20
2025-08-04 -
华体会hth登录-安森美2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅和功率解决方案系列研讨会即将启动
5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10+趋势性纵深应用近日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC)和功率解决方案5城巡回研讨会。该系
2025-08-04 -
华体会hth登录-科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
来源：中国科学院物理研究所常见的六方相氮化硼（hBN）因化学稳定、导热性能好以及表面无悬挂键原子级平整等特点，被视为理想的宽带隙二维介质材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN较多优异性质，并具有非中心对称的ABC堆垛结构，因而具备本征的滑移铁电性和非线性光学性质。rBN是极具应用潜力的功能材料，
2025-08-04 -
华体会hth登录-PI官宣收购Odyssey半导体资产
自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。该交易预计将于2024年7月完成，之后，Odyssey的所有关键员工预计将加入PI的技术团队。声明中称，此次收购将有力支持公司正在进行的
2025-08-03
